Đồng giả vờ là gì và đồng biến là gì?

Sự phóng xạ và bay hơi nhiệt là hai trong số các PVD lắng đọng hơi vật lý phổ biến Nhà sản xuất hệ thống lớp phủ PVD Trung Quốc Kỹ thuật xử lý lớp phủ màng mỏng. Được thực hiện trong môi trường chân không cao, các phương pháp này là trung tâm của chất bán dẫn, quang học, quang tử, cấy ghép y tế, tự động hiệu suất cao và các ngành công nghiệp aero.

CO CO có nghĩa là lẫn nhau, phổ biến - nhiều hơn một. Đồng cho xạ và đồng biến có nghĩa là nhiều hơn một vật liệu lớp phủ được áp dụng cho một chất nền cho phép tạo ra một loạt các tác phẩm và hợp kim mới và đáng chú ý với những phẩm chất độc đáo và tuyệt vời không thể mà không có công nghệ phim mỏng nhanh chóng này.
Đồng giả mạo là nơi có hai hoặc nhiều vật liệu mục tiêu (hoặc nguồn) được tạo ra, cùng một lúc hoặc theo trình tự trong buồng chân không và thường được sử dụng với các đường phun từ phản ứng để tạo ra các màng mỏng có kết hợp như hợp kim kim loại hoặc các chế phẩm phi kim loại như gốm sứ.

Nó được sử dụng rộng rãi trong các ngành công nghiệp thủy tinh quang học và kiến ​​trúc. Bằng cách sử dụng đồng giả định phản ứng của hai vật liệu đích như silicon và titan với cường độ từ nam đường kép, chỉ số khúc xạ hoặc hiệu ứng bóng của kính có thể được kiểm soát chính xác và chính xác trên các ứng dụng từ bề mặt quy mô lớn, như kính kiến ​​trúc, đến kính râm. Nó cũng được sử dụng rộng rãi sản xuất các tấm pin mặt trời và màn hình. Các ứng dụng để đồng giả mạo tiếp tục phát triển mỗi ngày.

Đồng giả định sử dụng nhiều hơn một cực âm (thường là hai hoặc ba) trong buồng quá trình trong đó sức mạnh cho mỗi catốt có thể được điều khiển độc lập. Điều đó có thể có nghĩa là cả hai có nhiều cực âm của cùng một vật liệu mục tiêu hoạt động cùng một lúc để tăng tỷ lệ lắng đọng, hoặc nó cũng có thể có nghĩa là kết hợp các loại vật liệu mục tiêu khác nhau trong buồng quy trình để tạo ra các tác phẩm và tính chất độc đáo trong màng mỏng.

Các mục tiêu silicon được phun vào một plasma có chứa oxy khi khí phản ứng tạo thành SiO2 có chỉ số khúc xạ là 1,5. Titan đã phóng vào huyết tương với oxy tạo thành TiO2 với chỉ số phản chiếu là 2,4. Bằng cách hợp tác với hai mục tiêu này các vật liệu phủ và thay đổi sức mạnh cho từng magron kép này, chỉ số khúc xạ chính xác của lớp phủ có thể được tùy chỉnh và gửi trên kính vào bất kỳ chỉ số khúc xạ mong muốn nào trong khoảng 1,5 và 2,5.

Theo cách này, đồng giả định phản ứng đã cho phép tạo ra các lớp phủ màng mỏng trên thủy tinh và các vật liệu khác với các chỉ số khúc xạ có thể tùy chỉnh hoặc được phân loại - bao gồm cả các lớp phủ thay đổi các đặc tính phản chiếu của kính kiến ​​trúc khi mặt trời phát triển mạnh hơn hoặc yếu hơn.
Sự cố định là một quá trình bay hơi nhiệt có thể có những ưu điểm hoặc nhược điểm so với đồng giả, tùy thuộc vào ứng dụng cụ thể, điều đó được hiểu rõ nhất bằng cách xác định sự khác biệt cơ bản giữa các quá trình phủ PVD bay hơi và phun PVD.

Với sự phối hợp, các vật liệu phủ được làm nóng trong buồng chân không cao cho đến khi chúng bắt đầu bay hơi hoặc thăng hoa. Điều này đạt được bằng vật liệu nguồn được làm nóng và bay hơi ra khỏi một chiếc thuyền/rổ dây có dây điện trở hoặc từ một cái nòng súng bằng cách sử dụng chùm electron. Để đạt được mức độ đồng nhất cao với các màng mỏng bay hơi nhiệt, chất nền được phủ thường được thao tác bằng cách xoay nó trên một hoặc hai trục trong buồng lắng đọng.

Các ứng dụng phổ biến của màng mỏng phối hợp là với lớp phủ kim loại trên nhựa, thủy tinh hoặc vật liệu cơ chất khác cung cấp độ mờ và độ phản xạ cao, gương kính viễn vọng và các tấm pin mặt trời.

Các tấm pin mặt trời dựa trên Cu (IN, GA) SE2 (CIGS) đã đạt được hiệu quả kỷ lục cao nhất trong số các pin mặt trời màng mỏng với hiệu quả kỷ lục hơn 20%. Chìa khóa cho thành công này là quá trình phối hợp 3 giai đoạn dẫn đến độ dốc GA đôi chuyên sâu với nồng độ GA tăng từ cả bề mặt phía trước và phía sau của sự lắng đọng màng mỏng. Đây là các loại quá trình đồng biến hiệu quả cân bằng hóa học đang mang lại trong thế giới thực tạo ra một thế giới xanh hơn, sạch hơn, tiết kiệm năng lượng hơn, đang nhanh chóng mở rộng sang tương lai.3